发明名称 驱动有机发光二极体之方法
摘要 本发明系提供一种驱动一有机发光二极体之方法,该方法系于一串接于该有机发光二极体之金属氧化半导体电晶体导通一使该有机发光二极体发光之电流时,调整一连接于该金属氧化半导体电晶体之闸极之电容的电压,以使该金属氧化半导体电晶体导通较少的电流。
申请公布号 TWI289288 申请公布日期 2007.11.01
申请号 TW092107923 申请日期 2003.04.07
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 施立伟;李纯怀
分类号 G09G3/30(2006.01) 主分类号 G09G3/30(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种驱动有机发光二极体(OLED)之方法,其包含下 列步骤: (a)提供一第一金属氧化半导体(MOS)电晶体,其第一 端系连接于有机发光二极体,第二端系连接于一第 一电压源; (b)提供一电容,其第一端系连接于该第一金属氧化 半导体电晶体之闸极; (c)提供一第二金属氧化半导体电晶体,其第一端系 用来输入资料,第二端系连接于该电容之第一端; (d)开启该第二金属氧化半导体电晶体以将资料由 该第二金属氧化半导体电晶体之第一端传输至该 第二金属氧化半导体电晶体之第二端;以及 (e)于执行步骤(d)后,关闭该第二金属氧化半导体电 晶体,并依序调整该电容之第二端之电压至一第一 电位及异于该第一电位之第二电位以使该电容之 第一端的电位改变以除去累积于该第二MOS之载子( carrier)。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一电 位系低于该第二电位。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一电 位系高于该第二电位。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其于步骤(e)调 整该电容之第二端的电压至该第二电位后,再将该 电容之第二端的电压调整至该第一电位。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金 属氧化半导体电晶体为一薄膜电晶体(TFT)。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金 属氧化半导体电晶体为一P型金属氧化半导体电晶 体。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金 属氧化半导体电晶体为一N型金属氧化半导体电晶 体。 图式简单说明: 图一为习知一主动式显示单元之电路图。 图二为习知另一主动式显示单元之电路图。 图三为本发明一驱动一有机发光二极体之驱动电 路之电路图。 图四为图三所显示之驱动电路中之第一参考电压 源之第一时序图。 图五为图三所显示之驱动电路中之第一参考电压 源之第二时序图。 图六为图三所显示之驱动电路中之第一参考电压 源之第三时序图。 图七为本发明另一驱动一有机发光二极体之驱动 电路之电路图。 图八为图三所显示之驱动电路中之第一参考电压 源之第一时序图。 图九为图三所显示之驱动电路中之第一参考电压 源之第二时序图。 图十为图三所显示之驱动电路中之第一参考电压 源之第三时序图。
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