半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。知的半导体装置在对电极焊垫施加过电压时，会有晶片内之电路元件遭到破坏的问题。本发明之半导体装置中，N型磊晶层3是由隔离区域4、5划分成复数个元件形成区域。在元件形成区域之一形成有NPN电晶体1。在NPN电晶体1的周围形成有具备PN接合区域21、22的保护元件。PN接合区域21、22的接合耐压比NPN电晶体1的PN接合区域20低。藉由此构造，对基极电极用焊垫施加负的ESD突波(surge)时，PN接合区域21、22会崩溃，而可保护NPN电晶体1。