| 发明名称 |
供用于以第III族元素氮化物为基础之元件的矽碳锗(SiCGe)基板SILICON CARBON GERMANIUM (SiCGe) SUBSTRATE FOR A GROUP III NITRIDE-BASED DEVICE |
| 摘要 |
一种供用于在第III族氮化物材料系统中形成之电子元件的基板，包含：一矽碳层；以及形成在该矽碳层上之一矽碳锗层，该矽碳层及该矽碳锗层形成用于在第III族氮化物材料系统中形成之电子元件的基板。 |
| 申请公布号 |
TW200742099 |
申请公布日期 |
2007.11.01 |
| 申请号 |
TW095125838 |
申请日期 |
2006.07.14 |
| 申请人 |
安华高科技ECBU IP()公司 |
发明人 |
罗宾斯 |
| 分类号 |
H01L31/0312(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L29/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/0312(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新加坡 |
