薄膜电晶体与其制造方法、以及主动矩阵型显示装置与其制造方法

摘要

〔课题〕提供一种稳定特性之薄膜电晶体与其制造方法、以及主动矩阵型显示装置与其制造方法。〔解决手段〕本发明之一形态的TFT20系包括：设在TFT阵列基板10上之绝缘性底膜21；以及包含设在底膜21之上之通道区域222的半导体膜22，通道区域222中之半导体膜22中的杂质浓度于半导体膜22之膜厚方向大致一定，杂质浓度于通道区域222中之半导体膜22与底膜21的界面呈不连续，底膜21中之杂质浓度低于半导体膜22中之杂质浓度，而且随着朝向TFT阵列基板10侧而单调递减。