影像感测元件及其制作方法

摘要

提供一基底，于该基底内形成复数个浅沟隔离，用以隔离并定义出复数个主动区域，各该主动区域内分别包含有一光感测区，于该等光感测区内分别形成一感光二极体后即进行一局部矽氧化(LOCOS)制程，以形成一局部矽氧化绝缘层。随后，于该等主动区域内分别形成一电晶体之闸极，且该闸极系覆盖部分该局部矽氧化绝缘层，最后于该基底中形成复数个掺杂区。