| 摘要 |
本发明提供一种互补金氧半导体(CMOS)影像感测器及其制造方法。在该互补金氧半导体影像感测器中，在一基板中形成一装置隔离层，以界定一作用区域，及在该作用区域中形成一光二极体。在与该光二极体相间隔的一位置处形成一浮动扩散区域，且第一闸极和第二闸极系分别与该光二极体的一端及该浮动扩散区域的一端重叠。一第三闸极系位于该第一闸极和第二闸极之间，且与该装置隔离层的一上方部分及该浮动扩散区域的一预定部分重叠。在其中形成有该第三闸极的最终结构上形成一绝缘层。一埋入式接点具有一第一接点及一第二接点，其等系循序地堆叠以通过该绝缘层及该第三闸极，并连接该第三闸极至位在该第三闸极下的该浮动扩散区域。 |
