包含可变电阻元件之半导体记忆装置

摘要

本发明之半导体记忆装置系包含有在第1电极和第2电极之间设置有可变电阻体，藉由在两电极之间施加电压脉冲而改变电阻之可变电阻元件者，其构造为至少有一层反应阻止膜，该反应阻止膜系包含具有阻挡促进可变电阻体还原反应之还原种以及促进氧化反应的氧化种之穿透作用的材料者。藉此，可抑制因在制造步骤中存在的氢或氧之影响所导致的可变电阻体之还原反应或氧化反应所致之可变电阻元件之电阻值变动，能够再现性良好并稳定地制造电阻值偏差少并且控制性良好的半导体记忆装置。