在体矽上制造1T-动态随机存取记忆体之方法

摘要

本发明提供一种积体电路，包括体效应技术积体电路(bulk IC)，该体效应技术积体电路包括体矽层和制造在体矽层上的互补式MOSFET电晶体(CMOS)。该积体电路亦包括单电晶体动态随机存取记忆体(1T DRAM)单元，该单元系与该体效应技术积体电路相邻并整合在该体效应技术积体电路中。