| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种电流磁滞特性极为良好且可降低顺向闸极漏电流之氮化镓系列场效电晶体。本发明所提供之半导体场效电晶体系为具有闸极绝缘膜108之氮化镓系列场效电晶体100，其中，构成闸极绝缘膜108之材料的一部分或全部，为相对介电常数9以上22以下之电介质，并具有，由接触于闸极绝缘膜108之半导体结晶层A104、及接近于半导体结晶层A104且具有较半导体结晶层A104还大的电子亲和力之半导体结晶层B103所构成之异质接合。构成闸极绝缘膜108之材料的一部分或全部，较理想为包含HfO2、HfAlO、HfAlON、或HfSiO等氧化铪。 |
