半导体基板、电子装置、光学装置、及其制造方法

摘要

本发明旨在提供一种适用于制造电子装置或光学装置之高品质半导体基板。本发明更提供一种用于电子装置或光学装置之半导体基板的制造方法，该制造方法包含在含有由硷金属和硷土金属选出之复数个金属元素之助熔剂混合物中，使氮(N)和第三族元素之镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)产生反应，藉此成长一种第III族氮化物半导体晶体。该第III族氮化物半导体晶体在助熔剂混合物和第三族元素在搅拌下混合时成长。至少有一部份生长第III族氮化物半导体晶体之基板是由一种可溶于助熔剂之材料所构成，且在半导体晶体成长过程中或成长结束后，该可溶于助熔剂之材料系在接近第III族氮化物半导体晶体之成长温度下溶解于该助熔剂混合物。