| 主权项 |
1.一种配线基板,其特征为:具备有, 具有通孔部之内层配线板;及 积层形成于前述内层配线板之至少其中一方的主 面上,且具有与前述通孔部电性连接之引洞的复数 的累积层, 前述复数的累积层系具有将前述引洞予以直线式 复数段堆积之堆叠引洞,而且,前述堆叠引洞系具 有引洞直径比构成其之其它引洞更大的大径引洞 。 2.如申请专利范围第1项所记载之配线基板,其中: 前述堆叠引洞,系构成电源系统配线。 3.如申请专利范围第1项所记载之配线基板,其中: 前述大径引洞,系被配置于前述复数的累积层之元 件搭载面侧的最上层或最下层。 4.如申请专利范围第1项所记载之配线基板,其中: 将前述大径引洞的引洞直径设为D1、将前述其它 引洞的引洞直径设为D2时,前述大径引洞系具有满 足1.2D2≦D1之引洞直径D1。 5.一种配线基板,其特征为:具备有, 具有通孔部之内层配线板;及 积层形成于前述内层配线板之至少其中一方的主 面上,且具有与前述通孔部电性连接之引洞的复数 的累积层, 前述复数的累积层系具有将前述引洞予以直线式 复数段堆积之堆叠引洞,而且,前述堆叠引洞系以 引洞直径比同一层内的其它引洞更大的大径引洞 所构成。 6.如申请专利范围第5项所记载之配线基板,其中: 前述堆叠引洞,系构成电源系统配线。 7.如申请专利范围第6项所记载之配线基板,其中: 构成前述电源系统配线的前述大径引洞,系引洞直 径比构成讯号系统配线的前述其它引洞更大。 8.如申请专利范围第5项所记载之配线基板,其中: 将前述大径引洞的引洞直径设为D1、将前述其它 引洞之引洞直径设为D3时,前述大径引洞系具有满 足1.2D3≦D1之引洞直径D1。 9.一种半导体装置,其特征为:具备有, 具备具通孔部之内层配线板、及积层形成于前述 内层配线板之至少其中一方的主面上,且具有与前 述通孔部电性连接之引洞的复数的累积层之配线 基板;及 搭载于前述配线基板的前述累积层上,且与前述引 洞电性连接之半导体元件, 前述复数的累积层系具有将前述引洞予以直线式 复数段堆积之堆叠引洞,而且,前述堆叠引洞系具 有引洞直径比构成其之其它引洞更大的大径引洞 。 10.如申请专利范围第9项所记载之半导体装置,其 中:前述堆叠引洞,系构成电源系统配线,且与前述 半导体元件的电源端子电性连接。 11.一种半导体装置,其特征为:具备有, 具备具通孔部之内层配线板、及积层形成于前述 内层配线板之至少其中一方的主面上,且具有与前 述通孔部电性连接之引洞的复数的累积层之配线 基板;及 搭载于前述配线基板的前述累积层上,且与前述引 洞电性连接之半导体元件, 前述复数的累积层系具有将前述引洞予以直线式 复数段堆积之堆叠引洞,而且,前述堆叠引洞系以 引洞直径比同一层内的其它引洞更大的大径引洞 所构成。 12.如申请专利范围第11项所记载之半导体装置,其 中:前述堆叠引洞,系构成电源系统配线,且与前述 半导体元件的电源端子电性连接。 图式简单说明: 第1图系表示依据本发明之第1实施形态之配线基 板的构造剖面图。 第2图系将第1图所示之配线基板的重要部位构造 予以放大而表示之剖面图。 第3图系表示依据本发明之第2实施形态之配线基 板的重要部位构造剖面图。 第4图系表示依据本发明之一实施形态之半导体装 置的构造剖面图。 |
