| 发明名称 | 一种复合封装的箔式锰铜超高压力传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种复合封装的箔式锰铜超高压力传感器，它包括：锰铜压敏元件(2)、有机绝缘薄膜(3)和粘接剂(4)；其特征是它还包括无机绝缘薄膜(6)，无机绝缘薄膜(6)为氧化铝、氧化镁等无机材料，厚度是1～30μm。无机绝缘薄膜(6)位于锰铜压敏元件(2)的正反两面，通过粘接剂(4)使有机绝缘薄膜(3)粘贴在无机绝缘薄膜(6)的两面上。本发明的实质是在现有箔式锰铜压力传感器的基础上，增加了一层无机绝缘薄膜(6)，从而实现了无机/有机复合封装。它具有：结构简单、制造容易、对50GPa以上的压力可进行埋入式测量、精度高、应用面广泛等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN100346143C | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200410081509.X | 申请日期 | 2004.12.17 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杜晓松;周鸿仁;杨邦朝;崔红玲 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01) | 主分类号 | G01L1/18(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种复合封装的箔式锰铜超高压力传感器，它包括：锰铜压敏元件(2)、有机绝缘薄膜(3)和粘接剂(4)，锰铜压敏元件(2)由锰铜合金箔(8)和铜电极(9)构成；其特征是它还包括无机绝缘薄膜(6)，无机绝缘薄膜(6)采用氧化铝或氧化镁，无机绝缘薄膜(6)的厚度是1～30μm；无机绝缘薄膜(6)位于锰铜压敏元件(2)的正反两面，通过粘接剂(4)使有机绝缘薄膜(3)粘贴在无机绝缘薄膜(6)的两面上。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 | ||