| 发明名称 | 非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术 | ||
| 摘要 | 本发明讲述的是通过非晶硅金属诱导结晶制备高质量，大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素；第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现象并形成很小的多晶硅“岛”；在此部分晶化薄膜材料上形成金属吸除层；金属诱导结晶过程经过第二个低温热处理完成，并形成所期望的多晶硅薄膜；金属吸除层在完成结晶热处理之后可以随意去掉。 | ||
| 申请公布号 | CN101064246A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610139876.X | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 香港科技大学 | 发明人 | 王文;郭海成;孟志国;张冬利;施雪捷 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/322(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.制备多晶硅薄膜技术包含以下步骤：·制备非晶硅薄膜；·在上述非晶硅薄膜表面引入微量金属镍或者含镍物质为诱导层；·对由上述样品进行第一步退火过程，以得到不连续的多晶硅“岛”；·在上述已部分晶化的薄膜上沉积金属吸收层；·完成金属诱导晶化的第二步退火过程；·去除金属吸收层。 | ||
| 地址 | 中国香港九龙清水湾 | ||