| 发明名称 | 压缩性氮化物层的制造方法和形成晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种压缩性氮化物层的制造方法，包括进行一化学气相沉积工艺，以于一基底上形成一氮化物层，其特征是在化学气相沉积工艺期间通入特定气体，而这种特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合。由于添加上述特定气体，所以可降低压缩应力，并进而增加PMOS驱动电流增益。 | ||
| 申请公布号 | CN101064254A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610077218.2 | 申请日期 | 2006.04.30 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;蔡腾群;黄建中 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/318(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种压缩性氮化物层的制造方法，包括进行化学气相沉积工艺，以于基底上形成氮化物层，其特征在于：在该化学气相沉积工艺期间通入特定气体，其中该特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||