| 发明名称 | 具有固定的通道离子的半导体器件 | ||
| 摘要 | 公开一种用于制造半导体器件的方法，其包含使得半导体基板受到温度范围从770至830℃的热处理以固定通道离子，接着形一HTO膜。该方法由此避免栅极的临界电压由于通道离子的扩散而改变。 | ||
| 申请公布号 | CN101064255A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610145911.9 | 申请日期 | 2006.11.23 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金大永 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在具有器件隔离膜的半导体基板上执行植入通道离子工序；使得所述半导体基板受到温度范围从大约770至大约830℃的热处理，以固定通道离子；降低所述半导体基板的温度以在所述半导体基板之上形成高温氧化物膜以及抗反射膜；部分地蚀刻所述HTO膜以及抗反射膜以露出所述半导体基板的预设的部分；以及蚀刻该露出的半导体基板以形成凹陷部分，并且移除所述高温氧化物膜以及抗反射膜以在所述凹陷部分之上形成栅极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||