| 发明名称 | 用于非常大面积基片的真空处理室 | ||
| 摘要 | 根据本发明的大尺寸基片PECVO处理的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室和带有电极喷头作为RF天线的至少一个内部反应器，所述内部反应器还包括反应器底部和反应器顶部，至少在等离子体反应器内基片处理期间密封式地连接，并至少在基片装载/卸载期间分开。进一步的实施例包括用于反应器顶部/底部的密封和用于RF天线/电极喷头的悬挂件。 | ||
| 申请公布号 | CN101065824A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200580039880.2 | 申请日期 | 2005.11.23 |
| 申请人 | OC欧瑞康巴尔斯公司 | 发明人 | P·埃恩格;L·德劳内伊;S·约斯特;M·埃亚考比 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01);C23C16/509(2006.01);C23C16/458(2006.01) | 主分类号 | H01J37/32(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 丁建春;赵辛 |
| 主权项 | 1、一种用于大尺寸基片处理的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室(19)和带有处理气体供给部(22)的至少一个内部反应器；以及电连接到作为RF天线的电极喷头(25)的RF供给部(24)，所述内部反应器还包括反应器底部(6)和反应器顶部(2)，其至少在所述等离子体反应器内在基片处理期间密封式地连接，并至少在所述基片装载/卸载期间分开。 | ||
| 地址 | 列支敦士登巴尔策斯 | ||