| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件能防止在形成被直接接触于包括导电图形和硅的N型导电区的导电图形的过程中接触电阻在被接触于N型导电区的区中增加，并且防止依照阻挡层的厚度的增加而造成的导电图形的寄生电容的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN100346465C | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200410082179.6 | 申请日期 | 2004.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李柱玩;金俊基 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基片之上形成栅电极；通过离子注入工艺在基片中形成N型掺杂区；将绝缘层沉积于栅电极和N型掺杂区上；形成开口以暴露N型掺杂区；通过在N型掺杂区中掺杂N型杂质而形成N型高掺杂区；通过使用化学气相沉积方法将第一金属层沉积于N型高掺杂区上，其中金属硅化物被形成于N型高掺杂区和第一金属层之间的界面处；在第一金属层上形成导电层；以及通过选择性地刻蚀导电层和第一金属层来形成导电图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||