| 发明名称 | 静电吸盘的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板(6)、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜(4a，4b)以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜(2a、2b)构成。通过分别向导电薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流电压，使该静电吸盘的吸附晶片(7)的面形成为静电双极形式。 | ||
| 申请公布号 | CN100345274C | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200410007630.8 | 申请日期 | 2003.02.27 |
| 申请人 | 株式会社日立高新技术 | 发明人 | 有働竜二郎;荒井雅嗣;角谷匡规 |
| 分类号 | H01L21/68(2006.01);H01L21/302(2006.01);C25D11/04(2006.01);B23Q3/154(2006.01) | 主分类号 | H01L21/68(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种静电吸盘的制造方法，所述静电吸盘的上表面上保持作为被处理材料的晶片，吸附所述晶片的该静电吸盘的上表面构成静电形式的双极电极，其特征在于包括下列步骤：在绝缘体的基体表面上形成多个导电薄膜；在上述多个导电薄膜的表面上形成铝层；以及对该铝层的表面进行阳极氧化处理，形成钝化铝膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||