| 发明名称 | 一种MIM电容材料刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可使上电极表面无冠状缺陷的MIM电容材料刻蚀方法。该方法的实施步骤为：形成MIM结构；为将上电极材料刻蚀成所需图形，需在上电极材料上再淀积一薄层硬掩膜；在硬掩膜上涂覆光刻胶，采用相应刻蚀技术，在硬掩膜上刻蚀出图形；去除硬掩膜表面残留光刻胶；利用硬掩膜上刻蚀出的图形，采用相应刻蚀技术，将上电极材料刻蚀成所需图形，得到所需产品。采用本发明所述的方法，可使上电极表面不再有冠状缺陷，提高了产品的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101059657A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200610025838.1 | 申请日期 | 2006.04.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘鹏;郑莲晃;韩秋华;吴湘惠;陈寰;朱旋 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种MIM电容材料刻蚀方法，其特征在于：a.在晶片上依次形成第一金属层、电介质层和第二金属层；b.在所述第二金属层上淀积一掩膜层；c.涂覆光致抗蚀剂并图案化所述掩膜层；d.移除所述光致抗蚀剂；e.利用所述掩膜层刻蚀所述第二金属层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||