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发明名称 Magnetic random access memory and method of operating the same
摘要
申请公布号 EP1320102(B1) 申请公布日期 2007.10.24
申请号 EP20020255748 申请日期 2002.08.19
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, WAN-JUN;KIM, TAE-WAN;SONG, I-HUN;PARK, SANG-JIN;GAMBINO, RICHARD J.
分类号 G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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