发明名称 |
一类基于微机电系统技术的可调光学器件 |
摘要 |
本发明涉及光通信技术领域,特别是涉及可调衰减器、光学开关以及可调滤波器。在本发明中,光学开关、可调衰减器和可调滤波器中的核心元件都采用微机电系统技术中的表面微机械结构,由薄膜和薄膜之间的腔组成。光学上都为多腔法不里-珀罗干涉仪形式。每个膜都是由相互交替的高折射率介质层和低折射率介质层组成的多层介质膜。每个介质膜的介质层数有一定的相互关系,以保证器件有很好的光学特性。由於采用微机电系统技术,这些器件可以大批量生产,并且装配简单。并且由于采用静电驱动,这些器件的功耗非常低。 |
申请公布号 |
CN100345015C |
申请公布日期 |
2007.10.24 |
申请号 |
CN200310117764.0 |
申请日期 |
2003.12.30 |
申请人 |
侯继东 |
发明人 |
侯继东 |
分类号 |
G02B6/35(2006.01);H01L21/00(2006.01);H04B10/12(2006.01) |
主分类号 |
G02B6/35(2006.01) |
代理机构 |
邯郸市久天专利事务所 |
代理人 |
薛建铎 |
主权项 |
1、一类基于微机电系统技术的可调光学器件,其特征在于:包括由两个外膜和不超过两个中间膜组成的多光学腔结构;一个掺杂硅基片和蒸镀在所说掺杂硅基片上的第一外膜、中间膜和第二外膜,所说掺杂硅基片和第一外膜由二氧化硅作为牺牲层形成第一非光学腔,所说第一外膜和中间膜由二氧化硅作为牺牲层形成第一光学腔,所说中间膜和第二外膜由二氧化硅作为牺牲层形成第二光学腔;所说外膜和中间膜均是以多晶硅或无定形硅作为高折射率介质层和以氮化硅作为低折射率介质层的多层介质膜;所说各个外膜和中间膜的两个外端介质层均是由所说高折射率介质构成;所说两个外膜介质层数相等;所说外膜的介质层数和中间膜介质层数有如下关系:每个外膜的介质层数的两倍等于每个中间膜介质层数减去五;在膜与膜之间以及膜和基片之间加以电压,产生静电力,膜由于静电力产生变形使光学腔厚度发生变化,器件产生可调特性。 |
地址 |
056002河北省邯郸市第一医院家属院西胡同4楼2单元6号 |