发明名称 |
应用于电源软切换的数-模转换电路的电路结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种应用于电源软切换的数-模转换电路的电路结构,其包括有:一金属氧化半导体场效应晶体管;一数-模转换控制电路,将金属氧化半导体场效应晶体管精确控制于截止区、可变电阻区及饱和区的三种状态;一数字控制单元,若干位的输出信号来控制输入电流值;一直流转换电路,接受金属氧化半导体场效应晶体管的控制,并将外部直流电转换成为电子产品所需要的电平。本实用新型能精确控制直流转换系统启动,具有极佳的弹性,数-模转换的电路的构成简单,所占用设计布局空间较少,且有极佳电源管理质量。 |
申请公布号 |
CN200966022Y |
申请公布日期 |
2007.10.24 |
申请号 |
CN200620137481.1 |
申请日期 |
2006.10.25 |
申请人 |
盛群半导体股份有限公司 |
发明人 |
林怡诚 |
分类号 |
H02M1/06(2006.01);H02M3/125(2006.01) |
主分类号 |
H02M1/06(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
潘培坤 |
主权项 |
1.一种应用于电源软切换的数-模转换电路的电路结构,其特征在于包括:一金属氧化半导体场效应晶体管;一数-模转换控制电路,连接于该金属氧化半导体场效应晶体管,用于将该金属氧化半导体场效应晶体管精确控制于截止区、可变电阻区及饱和区的三种状态;一数字控制单元,连接于该数-模转换控制电路,通过若干位的输出信号来控制该数-模转换控制电路的输入电流值;以及一直流转换电路,连接于该数字控制单元和该金属氧化半导体场效应晶体管,通过接受该金属氧化半导体场效应晶体管的控制将外部直流电转换成为电子产品所需要的电平。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |