| 发明名称 | 用于平面接触的金属化薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种接触至少一个位于一基板(2)和/或至少一个布置在所述基板(2)上的组件(3)的一表面上的电接触面(1)的方法，所述组件特别为半导体芯片。所述方法包括下列步骤：在真空条件下将至少一个由电绝缘塑料材料制成的绝缘膜(4)层压在所述基板(2)和所述组件的具有所述接触面(1)的表面上；通过在所述绝缘膜(4)上开一窗口(6)来露出所述表面上待接触的接触面(1)。本发明的特征在于使露出的接触面(1)与一绝缘膜(4)上的至少一个金属镀层(5)进行平面接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101061582A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200580039308.6 | 申请日期 | 2005.11.21 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 卡尔·韦德纳 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L25/07(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张亮 |
| 主权项 | 1.一种接触至少一个位于一基板(2)和/或至少一个布置在所述基板(2)上的组件(3)的一表面上的电接触面(1)的方法，所述组件特别为半导体芯片，所述方法包括下列步骤：在真空条件下将至少一个由电绝缘塑料材料制成的绝缘膜(4)层压在所述基板(2)和所述组件的具有所述接触面(1)的表面上，通过在所述绝缘膜(4)上开一窗口(6)来露出所述表面上待接触的接触面(1)，其特征在于，使露出的接触面(1)与一绝缘膜(4)上的至少一个金属镀层(5)进行平面接触。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||