| 发明名称 | 用于绝缘体上硅（SOI）技术的电可编程熔丝 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种熔丝结构及其形成方法，其中在优选为绝缘体上硅晶片的绝缘体(53)上用晶体半导体主体(52)形成所述熔丝的导电主体(50)，并用填充介质(54)将其包围。填充介质(54)优选为最小化晶体主体(52)上的应力的材料，例如氧化物。晶体半导体主体(52)可以被掺杂。导电主体(50)也可以包括晶体半导体主体(52)顶表面上的例如硅化物层的导电层(51)。此熔丝结构可以成功地在很宽的编程电压和时间范围上编程。 | ||
| 申请公布号 | CN101061584A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200580040015.X | 申请日期 | 2005.11.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | C·科塔达拉曼;E·马切耶夫斯基 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种电可编程熔丝，包括：半导体衬底(10、101)；绝缘层(53、153)，在所述半导体衬底(10、101)上；以及晶体半导体主体(52、152)，位于所述绝缘层(53)上，以使所述晶体半导体主体(52、152)与所述半导体衬底(10、101)电和热隔离，其中所述晶体主体(52、152)包括熔丝连接区域(47)，所述熔丝连接区域(47)在其第一端部处电连接到第一接触区域(42、142)而在其相反端部处电连接到第二接触区域(42、143)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||