半导体结构及其制作方法

摘要

一种半导体结构的制作方法，首先，提供一基底，此基底上已形成有闸极结构，其中闸极结构之侧壁上已形成有间隙壁，且闸极结构二侧之基底中已形成有源/汲极延伸区。接着，于间隙壁旁之基底中形成开口。然后，于开口底部之基底中或基底上形成源/汲极区。继之，于源/汲极区与闸极结构上形成金属矽化物层。之后，于基底表面形成应力层。