发明名称 低阻抗无空隙之接点
摘要 本发明揭示一种插塞系藉由沉积一第一材料以部分填充一开口,并留下一具有比初始开口低之纵横比的未填充部分而形成。随后沉积一第二材料以填充该开口的剩余部分。该第一材料具有良好的填充特性,但具有比该第二材料高的阻抗性。该第二材料具有低阻抗性以赋予该插塞低阻抗。
申请公布号 TW200739827 申请公布日期 2007.10.16
申请号 TW095145418 申请日期 2006.12.06
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 东谷雅明
分类号 H01L21/8247(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L21/8247(2006.01)
代理机构 代理人 黄章典;楼颖智
主权项
地址 美国