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发明名称
低阻抗无空隙之接点
摘要
本发明揭示一种插塞系藉由沉积一第一材料以部分填充一开口,并留下一具有比初始开口低之纵横比的未填充部分而形成。随后沉积一第二材料以填充该开口的剩余部分。该第一材料具有良好的填充特性,但具有比该第二材料高的阻抗性。该第二材料具有低阻抗性以赋予该插塞低阻抗。
申请公布号
TW200739827
申请公布日期
2007.10.16
申请号
TW095145418
申请日期
2006.12.06
申请人
桑迪士克股份有限公司
发明人
东谷雅明
分类号
H01L21/8247(2006.01);H01L21/28(2006.01)
主分类号
H01L21/8247(2006.01)
代理机构
代理人
黄章典;楼颖智
主权项
地址
美国
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