| 摘要 |
一种在高(k)介电值/金属闸电极中形成金属矽化物层的方法，包含：在一基材上，形成具有牺牲闸的电晶体；沈积第一ILD层在该基材上；移除该牺牲层以形成一闸沟渠；沈积一高k介电层于该闸沟渠内；退火该高k介电层；沈积第一金属层于该闸沟渠内；沈积第二ILD层在该第一ILD层与电晶体上；蚀刻该第一与第二ILD层，以形成第一接触沟渠与第二接触沟渠，其向下延伸至电晶体的源极区与汲极区；沈积第二金属层于该等接触沟渠内；退火该第二金属层，以形成金属矽化物层；及沈积第三金属层于该第一与第二接触沟渠内，以填入该等接触沟渠。 |
