垂直式快闪记忆体

摘要

一种垂直式快闪记忆胞阵列，包含基底上之一对电晶体单元，各由源极区、通道区与汲极区垂直堆叠于基底上构成。一对闸极结构顺应性的设置于该对电晶体单元之互对侧壁上，该对闸极结构中包含一相连型通道氧化物层，顺应覆盖该对电晶体单元之互对侧壁与其间之基底。一对浮动闸极分位于该对电晶体互对侧壁之通道氧化物层上。一相连型绝缘层覆盖于该对浮动闸极上，而一控制闸极层覆盖于互对侧壁上的绝缘层上。以介电层填满电晶体间的空隙。介电层中的字元线与位元线分别与电晶体单元上部及控制闸极相接。基底中的源极线则与源极相接。