| 主权项 |
1.一隔离的高压LDMOS电晶体包括: 一P型基板; 一第一扩散区与一第二扩散区,该第一扩散区与该 第二扩散区均具有N型导电离子,其中该第一扩散 区与该第二扩散区于该P型基板内形成一N型井区, 其中该第一扩散区形成一汲极延伸区; 一汲极扩散区,用以形成一汲极区,该汲极扩散区 具有N+型导电离子,其中该汲极区系位于该汲极延 伸区内; 一第三扩散区,用于该N型井区的汲极延伸区内分 别形成一P型井区,该第三扩散区具有P型导电离子; 一源极扩散区,用以形成一源极区,该源极扩散区 具有N+型导电离子,其中透过该N型井区而形成一传 导通道,其中该传导通道连接到该源极区与该汲极 区; 一接点扩散区,用以形成一接点区,该接点扩散区 具有P+型导电离子;以及 一第四扩散区,用以形成一隔离的P型井区以防止 崩溃,该第四扩散区具有P型导电离子,其中该隔离 的P型井区位于该第二扩散区,其目的是包围住该 源极区与该接点区,其中由该第二扩散区形成之N 型井区为该源极区提供一低阻抗路径,而其中该第 二扩散区形成之N型井区限制该汲极区与该源极区 之间的一电晶体电流。 2.如申请专利范围第1项所述之隔离的高压LDMOS电 晶体,其中该汲极延伸区与该汲极扩散区形成一汲 极电极。 3.如申请专利范围第1项所述之隔离的高压LDMOS电 晶体,其中该隔离的P型井区、该源极扩散区以及 该接点扩散区形成一源极电极。 4.如申请专利范围第1项所述之隔离的高压LDMOS电 晶体,其中该N型井区由该汲极电极延伸至该源极 电极。 5.如申请专利范围第1项所述之隔离的高压LDMOS电 晶体,其中该P型井区将该N型井区分开。 6.如申请专利范围第1项所述之隔离的高压LDMOS电 晶体更包括: 一薄闸极氧化层与一厚场氧化层于该P型基板上形 成; 一多晶矽闸极电极,用以控制该传导通道之该电晶 体电流,其中该多晶矽闸极系置放在该薄闸极氧化 层与该厚场氧化层的部分之上方; 一汲极间隙,用以在该汲极扩散区与该厚场氧化层 之间维持一个空间; 一源极间隙,用以在该厚场氧化层与该隔离的P型 井区之间维持一个空间,其中该汲极间隙与该源极 间隙的配置可实质上提升该隔离的高压LDMOS电晶 体的崩溃电压; 一二氧化矽绝缘层,覆盖于该多晶矽闸极电极与该 厚场氧化层之上; 一汲极金属接点,具有一金属电极以接触该汲极扩 散区;以及 一源极金属接点,具有一金属电极以接触该源极扩 散区与该接点扩散区。 7.如申请专利范围第1项所述之隔离的高压LDMOS电 晶体更包括: 一汲极焊垫,用于该汲极电极,其中该汲极焊垫与 该汲极金属接点互相连接; 一源极焊垫,用于该源极电极,其中该源极焊垫与 该源极金属接点互相连接;以及 一闸极焊垫,连接于该多晶矽闸极电极。 8.如申请专利范围第1项所述之隔离的高压LDMOS电 晶体,其中该P型井区分开该N型井区的该汲极延伸 区,其目的是为了于该N型井区形成一分开的接面 场效,其中该分开的N型井区与该P型井区使一漂移 区空乏。 图式简单说明: 图1显示为根据本发明之较佳实施例的一高压LDMOS 电晶体的俯视图; 图2为根据本发明之较佳实施例的一高压LDMOS电晶 体的第一剖面图,其中显示一分开的P型井区; 图3为根据本发明之较佳实施例的一高压LDMOS电晶 体的第二剖面图,其中显示一分开的N型井区; 图4为根据本发明之较佳实施例的一高压LDMOS电晶 体的第三剖面图,其中显示分开的N型井区与P型井 区。 |
