| 主权项 |
1.一种电性扫描探针显微镜装置,包括: 一原子力显微镜装置,该装置利用长波长雷射光源 做为表面成像架构以取得一表面形貌影像,其中该 原子力显微镜装置,包括: 一样品基座; 一扫描探针装置,包括一独立悬臂与位于该独立悬 臂前端之一导电探针; 一原子力显微镜之表面成像架构,独立于该扫描探 针装置,包括一长波长雷射光源、一与该长波长雷 射光源相对应之雷射侦测装置以及一长波长光学 校准装置;以及 一控制系统装置,控制该扫描探针装置的移动位置 及该扫描探针装置高度;以及 一电性扫描侦测感测装置,以取得同步对应该表面 形貌影像之二维电性影像。 2.如申请专利范围第1项所述之电性扫描探针显微 镜装置,其中该长波长雷射光源波长范围系大于670 奈米。 3.如申请专利范围第1项所述之电性扫描探针显微 镜装置,其中该长波长雷射光源波长范围系1.3或1. 55微米。 4.如申请专利范围第1项所述之电性扫描探针显微 镜装置,其中该长波长光学校准装置系一电荷耦合 元件(charge coupled device,CCD)。 5.如申请专利范围第1项所述之电性扫描探针显微 镜装置,其中该电性扫描侦测感测装置包括电容感 测器、展阻感测器、电位感测器或电流感测器。 图式简单说明: 第1图系显示本发明之扫描电性探针显微镜的机能 区块图(functional block diagram); 第2图系显示本发明之扫描电性探针显微镜利用长 波长雷射光源做为表面成像架构配置图; 第3A图系显示操作例中入射光照射在悬臂梁之反 射面的不同位置之配置图,第3B及3C图分别显示操 作例1及操作例2中入射光照射在悬臂梁之反射面 的不同位置之配置图; 第4A及4B图分别显示操作例1及操作例2中微分电容( dC/dV)-位置的关系; 第5A及5B图分别显示操作例1及操作例2中电性接面 宽度的二维影像;以及 第6A及6B图分别显示操作例1及操作例2中二维载子 分布影像。 |
