发明名称 封装方法
摘要 本发明揭示一种封装方法,包含:提供一导电基板,具有一上表面与一下表面;自上述上表面形成封装基板的第一层线路并完成主动元件的封装;以及自上述下表面形成封装基板的第二层以后的线路及连接垫。
申请公布号 TWI288468 申请公布日期 2007.10.11
申请号 TW094139456 申请日期 2005.11.10
申请人 络达科技股份有限公司 发明人 李建成
分类号 H01L25/10(2006.01);H01L23/28(2006.01) 主分类号 H01L25/10(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种封装方法,包含: 提供一导电基板,具有一上表面与一下表面; 形成一主动元件基座雏型与第一层线路图形于该 导电基板的上表面,其中该第一层线路图形系与该 主动元件基座雏型以间隔方式设置于其周围; 将一主动元件电性连接于该第一层线路图形; 形成一封装材于该上表面,包覆该主动元件与该第 一层线路图形; 由该下表面移除连接该主动元件基座雏型与该第 一层线路图形之间的部分该导电基板,并使该主动 元件基座雏型下的该导电基板成为该主动元件基 座雏型的一部分,且使部分留下来的该导电基板成 为电性连接于该第一层线路图形的一导通装置与 一连接垫雏形; 形成第一介电层于该主动元件基座雏型、该导通 装置、与该连接垫雏形之间; 分别增厚该主动元件基座雏型与该连接垫雏形,并 形成与该导通装置电性连接的第二层线路图形于 该第一介电层上; 形成第二介电层于该主动元件基座雏型、该第二 层线路图形、与该连接垫雏形之间;以及 增厚该主动元件基座雏型与该连接垫雏形,分一别 成为一主动元件基座与一连接垫。 2.如申请专利范围第1项所述之封装方法,更包含形 成第三介电层于该主动元件基座与该连接垫之间 。 3.如申请专利范围第1项所述之封装方法,其中于黏 着该主动元件之前,更包含形成一保护层于该第一 层线路图形上,曝露部分该第一层线路图形,以便 与该主动元件形成电性连接。 4.如申请专利范围第1项所述之封装方法,其中在该 主动元件与该第一层线路图形之间形成电性连接 系使用焊线接合的技术。 5.如申请专利范围第1项所述之封装方法,更包含在 该主动元件与该主动元件基座雏型之间形成电性 连接。 6.如申请专利范围第5项所述之封装方法,其中在该 主动元件与该主动元件基座雏型之间形成电性连 接系使用焊线接合的技术。 7.一种内埋被动元件的导线架的制造方法,包含: 提供一导电基板,具有一上表面与一下表面; 形成一主动元件基座雏型与第一层线路图形于该 导电基板的上表面,其中该第一层线路图形系与该 主动元件基座雏型以间隔方式设置于其周围,并包 含复数个导线; 将一被动元件电性连接于该些导线中至少其中两 个导线之间; 将一主动元件电性连接于该第一层线路图形; 形成一封装材于该上表面,包覆该主动元件、该被 动元件、与该第一层线路图形; 由该下表面移除连接该主动元件基座雏型与该第 一层线路图形之间的部分该导电基板,并使该主动 元件基座雏型下的该导电基板成为该主动元件基 座雏型的一部分,且使部分留下来的该导电基板成 为电性连接于该第一层线路图形的一导通装置与 一连接垫雏形; 形成第一介电层于该主动元件基座雏型、该导通 装置、与该连接垫雏形之间; 分别增厚该主动元件基座雏型与该连接垫雏形,并 形成与该导通装置电性连接的第二层线路图形于 该第一介电层上; 形成第二介电层于该主动元件基座雏型、该第二 层线路图形、与该连接垫雏形之间;以及 增厚该主动元件基座雏型与该连接垫雏形,分别成 为一主动元件基座与一连接垫。 8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,更包含形 成第三介电层于该主动元件基座与该连接垫之间 。 9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中将该 被动元件电性连接于该些导线之前,更包含形成一 保护层于该第一层线路图形上,曝露部分该第一层 线路图形,以便与该主动元件与该被动元件形成电 性连接。 10.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中在 该主动元件与该第一层线路图形之间形成电性连 接系使用焊线接合的技术。 11.如申请专利范围第7项所述之制造方法,更包含 在该主动元件与该主动元件基座雏型之间形成电 性连接。 12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中在 该主动元件与该主动元件基座雏型之间形成电性 连接系使用焊线接合的技术。 13.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中将 该被动元件电性连接于该些导线,系使用表面黏着 的技术。 14.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中由 该下表面移除部分该导电基板时,更包含移除连接 该些导线之间的部分该导电基板。 15.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该 导通装置系电性连接于非与该被动元件电性连接 的该些导线至少其中之一。 图式简单说明: 第1A~1M图为一系列之剖面图,系显示本发明第一实 施例之封装方法的流程。 第2A~2K图为一系列之剖面图,系显示本发明第二实 施例之封装方法的流程。
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