| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件，是具有PMOS与NMOS晶体管的CMOS元件，所述晶体管在一半导体元件上方具有不同栅极结构。一第一栅极结构，位于该PMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方的第一栅极介电层、与一位于该第一栅极介电层上方的第一栅极导电体；以及一第二栅极结构，位于该NMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方的第二栅极介电层、及一位于该第一栅极介电层上方的第二栅极导电体；其中，该第一栅极导电体包括一以硅为基材的材料层，且该第二栅极导电体包括一以金属为基材的材料层。本发明所述的半导体元件，由于平衡了工作函数而提升了CMOS元件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101051638A | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200610167904.9 | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 颜丰裕;徐鹏富;金鹰 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：一半导体基板，具有一PMOS元件区域与一NMOS元件区域；一第一栅极结构，位于该PMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方的第一栅极介电层、与一位于该第一栅极介电层上方的第一栅极导电体；以及一第二栅极结构，位于该NMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方的第二栅极介电层、及一位于该第二栅极介电层上方的第二栅极导电体；其中，该第一栅极导电体包括一以硅为基材的材料层，且该第二栅极导电体包括一以金属为基材的材料层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||