电器件及其制造方法

摘要

提供具有随电压变化的电容的电器件(10)，包括半导体材料的第一区(12)及形成于第一区中的半导体材料的第二区(13)和第三区(14)，第二和第三区通过隔离区隔离；形成于第一区上至少对应于隔离区的区处的电绝缘层(15)；形成于绝缘层上至少对应于隔离区的区处的基本导电元件(16)，以便该绝缘层电绝缘基本导电元件与第一、第二和第三区；与基本导电元件连接的第一电极(17)；与第二和第三区连接的第二电极(18)。并公开了器件的制造方法。

主权项

1.一种具有随电压变化的电容的电器件(10，20，30，40，V1-Vn，70，80)，包括：半导体材料的第一区(12，22，32，72，82)；形成于第一区中的半导体材料构成的第二区(13，23，33，73，83，91)和第三区(14，24，34，74，84，91)，第二和第三区通过隔离区隔离，从而第二区、第三区和基本导电元件分别构成MIS晶体管的漏、源和栅；形成于第一区上至少对应于隔离区的区处的电绝缘层(15，25，35)；形成于绝缘层上至少对应于隔离区的区处的基本导电元件(16，26，36，76，86)，以便该绝缘层电绝缘基本导电元件与第一、第二和第三区，使得第二区，第三区和基本导电元件分别构成MIS晶体管的漏、源和栅；与基本导电元件连接的第一电极(17，27，37)；与第二和第三区连接的第二电极(18，28，38)。