| 发明名称 | 二氧化硅多孔晶体的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种二氧化硅多孔晶体的制造方法，该方法通过水热反应合成二氧化硅多孔晶体，其特征在于，在水热合成容器内的一部分形成硅的高浓度区域，将由包含硅和氧的化合物形成的经表面光滑处理的大块体作为二氧化硅多孔晶体的部分或全部骨架组成元素的供给源，并使大块体按照至少其一部分位于上述硅的高浓度区域内的方式存在来进行水热反应，根据该制造方法，可以再现性良好并有效地合成0.5mm以上的二氧化硅多孔晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN101052753A | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200580030775.2 | 申请日期 | 2005.09.12 |
| 申请人 | 岛根县 | 发明人 | 野田修司;盐村隆信;田岛政弘;今若直人;冈本康昭;久保田岳志 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01);C01B37/02(2006.01);C30B7/10(2006.01) | 主分类号 | C30B29/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1.一种二氧化硅多孔晶体的制造方法，该方法通过水热反应合成二氧化硅多孔晶体，其特征在于，在水热合成容器内的一部分形成硅的高浓度区域，将由包含硅和氧的化合物形成的经表面光滑处理的大块体作为二氧化硅多孔晶体的部分或全部骨架组成元素的供给源，并使大块体按照至少其一部分位于所述硅的高浓度区域内的方式来进行水热反应。 | ||
| 地址 | 日本岛根县 | ||