发明名称 | 垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置 | ||
摘要 | 本发明涉及垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置,特别是关于每1平方英寸具有50吉比特以上面记录密度的高介质S/N的垂直磁记录介质及其制造方法,和组装了该磁记录介质的磁存储装置。通过软磁性底层在底板上形成垂直记录层,其构成含有利用非磁性层使软磁性底层形成物理分离的数层软磁性层,该软磁性层由纳米晶体构成,进一步在通过非磁性层邻接的软磁性层的层间形成局部的磁化闭环,可抑制住软磁性底层引起的尖峰脉冲噪音和再生信号的调制。 | ||
申请公布号 | CN100342429C | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
申请号 | CN03102352.5 | 申请日期 | 2003.02.08 |
申请人 | 日立环球储存科技日本有限公司 | 发明人 | 棚桥究;菊川敦;高桥由夫;细江让 |
分类号 | G11B5/667(2006.01) | 主分类号 | G11B5/667(2006.01) |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 熊志诚 |
主权项 | 1.一种垂直磁记录介质,其通过软磁性底层在底板上形成垂直记录层,其特征是:含有由非磁性层使上述软磁性底层形成物理分离的数层软磁性层,上述软磁性层由纳米晶体构成;上述非磁性层的厚度为1nm以上3nm以下;上述软磁性层的厚度为50nm以上150nm以下。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |