| 发明名称 | 磁存储器 | ||
| 摘要 | 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。 | ||
| 申请公布号 | CN100342451C | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN03102768.7 | 申请日期 | 2003.01.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斉藤好昭;西山勝哉;高桥茂树;天野実;上田知正;与田博明;浅尾吉昭;岩田佳久;岸逹也 |
| 分类号 | G11C11/02(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | G11C11/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器，备有：有磁记录层的磁阻效应元件；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线，且在上述磁记录层中，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||