| 发明名称 | 电容结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种电容结构，其包括一基底、一第一金属层、一蚀刻终止层、一连接层、一第二金属层与一绝缘层。第一金属层配置于基底中。蚀刻终止层配置于基底上，其中蚀刻终止层具有一开口，此开口暴露出部分第一金属层。连接层配置于开口与部分蚀刻终止层的表面。第二金属层配置于连接层上。绝缘层配置于第二金属层与连接层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101047184A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200610071511.8 | 申请日期 | 2006.03.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡明轩 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种电容结构，包括：基底；第一金属层，配置于该基底中；蚀刻终止层，配置于该基底上，其中该蚀刻终止层具有开口，该开口暴露出部分该第一金属层；连接层，配置于该开口与部分该蚀刻终止层的表面；第二金属层，配置于该连接层上；以及绝缘层，配置于该第二金属层与该连接层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||