| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，能使在ESD保护元件上产生的热迅速且高效地向半导体装置外部散热。该半导体装置(1)包括：具有漏极区域(4)、源极区域(6)和栅电极(7)的MOSFET型ESD保护元件，和热扩散部。在漏极区域(4)上形成的热扩散部包括与垫片电连接的金属层(13)以及连接漏极区域(4)和金属层(13)的接点(12)。金属层(13)包括沿栅电极(7)延伸的第一金属配线(21)和与其垂直交叉的第二金属配线(22)。接点(12)与第一金属配线(21)和第二金属配线(22)的交叉部连接。在ESD保护元件的pn结合部产生、由接点(12)传导的热在金属层(13)中通过第一金属配线(21)和第二金属配线(22)同时向3个方向扩散，向垫片散热。 | ||
| 申请公布号 | CN101047177A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710089055.4 | 申请日期 | 2007.03.29 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 奥岛基嗣 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/36(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括具有形成第一pn结合部的第一半导体区域和第二半导体区域的静电放电保护元件，其特征在于，包括：在上述静电放电保护元件上方形成的第一金属层，和与上述第一半导体区域和上述第一金属层连接的多个第一接点，上述第一金属层和上述第一接点不会出现热浮动状态，上述第一金属层具有：将上述多个第一接点中至少1个第一接点传导来的热，从该金属层与上述至少1个第一接点的连接部，向上述第一pn结合部延伸的方向中至少一个方向、和与上述第一pn结合部延伸的方向交叉的方向中至少一个方向同时扩散的第一扩散路径，上述第一扩散路径构成向半导体装置外部传导热的传导路径的一部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||