发明名称 |
强电介质材料、其膜、电容器及它们的制法、强电介质存储器 |
摘要 |
一种强电介质材料,在以通式ABO<SUB>3</SUB>表示的复合氧化物的原料中含有补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分;该原料含有钛酸锆酸铅;添加有至少取2价状态的元素和至少取3价状态的元素作为A部位补偿成分;添加有至少取5价状态的元素作为B部位补偿成分;取2价状态的元素的添加量是相对A部位的构成元素的1摩尔%~30摩尔%;取3价状态的元素的添加量是相对所述A部位的构成元素的1摩尔%~30摩尔%;取5价状态的元素的添加量是相对B部位的构成元素的1摩尔%~30摩尔%;取2价状态的添加量、取3价状态的添加量、取5价状态的添加量的合计是对A部位和B部位的全部构成元素的5摩尔%~40摩尔%。 |
申请公布号 |
CN100339996C |
申请公布日期 |
2007.09.26 |
申请号 |
CN200410031794.4 |
申请日期 |
2004.03.25 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
滨田泰彰;木岛健;柄泽润一;大桥幸司;名取荣治 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01);H01L21/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1、一种强电介质材料,其特征在于:在以通式ABO3表示的复合氧化物的原料中含有补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分;所述原料含有钛酸锆酸铅;添加有至少取2价状态的元素和至少取3价状态的元素作为所述A部位补偿成分;添加有至少取5价状态的元素作为所述B部位补偿成分;所述取2价状态的元素的添加量是相对所述A部位的构成元素的1摩尔%~30摩尔%;所述取3价状态的元素的添加量是相对所述A部位的构成元素的1摩尔%~30摩尔%;所述取5价状态的元素的添加量是相对所述B部位的构成元素的1摩尔%~30摩尔%;所述取2价状态的添加量、所述取3价状态的添加量、所述取5价状态的添加量的合计是对所述A部位和所述B部位的全部构成元素的5摩尔%~40摩尔%。 |
地址 |
日本东京 |