| 发明名称 | 具有电容器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上边形成的第1层间绝缘膜；在上述第1层间绝缘膜内形成的第1布线层，上述第1布线层在上述第1层间绝缘膜的表面上露出来；在上述第1层间绝缘膜上边形成的第2层间绝缘膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的第1栓塞，上述第1栓塞到达上述第1布线层的上表面上；在上述第1栓塞的侧面和底面上形成的MIM型电容器，所述MIM型电容器包括：连接到上述第1布线层上的下部电极膜、在上述下部电极膜上边形成的电介质膜和在上述电介质膜上边形成的上部电极膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的上部电极用布线层，上述上部电极用布线层连接到上述第1栓塞上。 | ||
| 申请公布号 | CN100339991C | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200410088016.9 | 申请日期 | 2002.04.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 梶田明广;山田雅基 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上边形成的第1层间绝缘膜；在上述第1层间绝缘膜内形成的第1布线层，上述第1布线层在上述第1层间绝缘膜的表面上露出来；在上述第1层间绝缘膜上边形成的第2层间绝缘膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的第1栓塞，上述第1栓塞到达上述第1布线层的上表面上；在上述第1栓塞的侧面和底面上形成的MIM型电容器，所述MIM型电容器包括：连接到上述第1布线层上的下部电极膜、在上述下部电极膜上边形成的电介质膜和在上述电介质膜上边形成的上部电极膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的上部电极用布线层，上述上部电极用布线层连接到上述第1栓塞上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||