| 发明名称 | 掩模材料转化 | ||
| 摘要 | 掩模图案如间距倍增的隔体的尺寸通过在将它们形成之后，控制在所述图案中的特征的增长得到控制。为了形成间距倍增的隔体(175a)的图案，首先形成芯棒的图案，使其覆盖在半导体衬底(110)上面。然后通过在所述芯棒上面沉积材料的覆盖层，并且从水平面上优先除去隔体材料，在所述芯棒的侧壁上形成隔体。然后选择性除去所述芯棒，从而留下自立的隔体的图案。所述隔体包含已知在氧化之后增加尺寸的材料，如多晶硅和非晶硅。所述隔体被氧化以使它们增长至需要的宽度(95)。在达到所述需要的宽度之后，可以使用隔体(175a)用作掩模以将下层(150)和所述衬底(110)形成图案。有利地，因为通过氧化使所述隔体(175a)增长，所以可以在所述芯棒上面沉积较薄的覆盖层，从而允许沉积更共形的覆盖层并且加宽用于形成隔体的加工窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN101044595A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200580035659.X | 申请日期 | 2005.08.23 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | 米尔扎夫·K·阿巴切夫;古尔特基·桑赫 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/033(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王旭 |
| 主权项 | 1.一种用于制造集成电路的方法，所述方法包括：提供具有上覆的掩模层的衬底，所述掩模层包含掩模材料和开口，所述掩模材料和开口形成图案；将所述掩模材料氧化；和在将所述掩模材料氧化之后，将所述图案转移到所述衬底中。 | ||
| 地址 | 美国艾达荷 | ||