发明名称 | 晶片型电容器上板隔离防护处理方法 | ||
摘要 | 一种晶片型电容器上板隔离防护处理方法,其于电容器本体两端之端电极沾银处理形成银导体层,绝缘材料用真空浸泡填补陶瓷表面间隙包覆一层绝缘保护层形成隔绝层包覆,将电容器本体两端电极处之绝缘保护层予以磨除,供银导体层外露,并于该端电极处施以低温沾银处理、镍导体层及锡导体层。藉由电容器本体为一种具有形成强化隔绝保护层包覆及电容器本体端电极之导体制造等实施步骤之处理方法,供电容器本体外缘受一层真空渗透形成之绝缘保护层予以包覆,进而能有效抑制目前适用于高电压之晶片型电容器上所产生瞬间跳火花现象之发生,以确保电容器上板后达到正常工作之安全防护效用者。 | ||
申请公布号 | TW200735143 | 申请公布日期 | 2007.09.16 |
申请号 | TW095108069 | 申请日期 | 2006.03.10 |
申请人 | 青业电子工业股份有限公司 | 发明人 | 王朝奎 |
分类号 | H01G4/30(2006.01) | 主分类号 | H01G4/30(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 桃园县中坜市东园路5号 |