| 摘要 |
荷电粒子射束描画方法，其特征为：计测已排除自重的影响之情形的基板背面的3维形状，依据前述基板背面的3维形状，运算于将前述基板背面矫正成平面之情形中之前述基板的表面描画有图面之情形的前述图案之第1位置偏移量，依据前述第1位置偏移量，运算表示补正前述第1位置偏移量用之位置偏移补正量的第1近似式的第1系数，利用表示补正不将前述基板背面矫正为平面，且于前述基板的表面描画有前述图案之情形的前述图案的第2位置偏移量用之位置偏移补正量的第2近似式的第2系数，于前述第2系数加上前述第1系数，依据藉由表示使用被相加之结果而获得的第3系数之位置偏移补正量的第3近似式而获得之位置偏移补正量，与藉由前述第2近似式所获得的位置偏移补正量之一方，使用荷电粒子射束，于前述基板的表面描画前述图案。 |
