发明名称 使用浸没式蚀印法制造半导体元件的方法
摘要 揭示的是使用浸没式蚀印法制造半导体元件的方法,其包括在曝光步骤之后和曝光后的烘烤步骤之前,以至少大约40℃的水预先处理晶圆,藉以有效地减少水痕缺陷。
申请公布号 TW200735176 申请公布日期 2007.09.16
申请号 TW095131543 申请日期 2006.08.28
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 郑载昌;文承灿
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 韩国