发明名称 | 半导体装置之制造方法及基板处理系统 | ||
摘要 | 提供一种可以制造出电性特性及信赖性优良之半导体装置之半导体装置之制造方法。该半导体制造装置之制造方法包含有:在被形成于半导体基板之被蚀刻膜之表面形成具有特定电路图案之蚀刻罩幕的工程(步骤2);经蚀刻罩幕蚀刻上述被蚀刻膜,在被蚀刻膜形成沟或孔之工程(步骤3);至少含有藉由含臭氧之气体所执行之处理而除去蚀刻罩幕之工程(步骤4、5);和藉由供给特定回复气体,使因施予至除去工程为止之工程而产生于上述被蚀刻膜之损伤予以回复之工程(步骤6)。 | ||
申请公布号 | TW200735214 | 申请公布日期 | 2007.09.16 |
申请号 | TW095144425 | 申请日期 | 2006.11.30 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 浅子龙一;前川薰;藤井康 |
分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |