| 摘要 |
本发明为关于一种InN/InP/TiO2光敏化电极，由基板、二氧化钛薄膜层及具磷化铟光敏薄膜及氮化铟光敏薄膜之光敏层构成，制作方法系先将二氧化钛薄膜层，涂布于基板上，将具二氧化钛薄膜层之基板置入反应腔内，利用含奈米微粒之磷化铟溶液涂布于二氧化钛薄膜层上形成磷化铟光敏薄膜，接着引入氨气及含铟之化合物，并进行紫外光去激发，在磷化铟光敏薄膜上成长氮化铟光敏薄膜，磷化铟光敏薄膜及氮化铟光敏薄膜形成光敏层，可吸收太阳光，产生分离之电子-电洞对，并具有极佳之化学抗性，而本发明之光敏化电极可应用于电池元件可增加元件吸收太阳光之频宽从390至800nm。亦可应用于其他光电元件或产氢元件。 |
