发明名称 半导体结构及其形成方法
摘要 一种半导体结构,包括:一低介电常数介电层;一上盖层,位于该低介电常数介电层上,其中该上盖层包括择自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成族群之一材料;一介层物位于该低介电常数层中;以及一金属导线位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物,该金属导线实体接触该介层物。
申请公布号 TW200735273 申请公布日期 2007.09.16
申请号 TW095132338 申请日期 2006.09.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 张惠林;卢永诚;包天一
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/314(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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