| 摘要 |
La présente invention concerne un composant sensible à un champ magnétique, un dispositif capteur de champ magnétique et une structure de mémoire incorporant chacun ce composant, et un procédé de détection d'un champ magnétique au moyen de ce composant.Un composant (1) selon l'invention comporte :- au moins un semi-conducteur magnétique dilué (2),- des premiers moyens (3) pour générer un courant électrique (1) dans ledit semi-conducteur selon une direction (D) prédéterminée, et- des seconds moyens (5) pour produire un signal représentatif d'une tension de Hall (V) transverse à cette direction,et il est tel que le semi-conducteur comprend une zone (7) sensible audit champ qui forme tout ou partie d'un puits quantique magnétique, dans lequel sont confinés des porteurs de charge incorporés par dopage au semi-conducteur et induisant dans ce puits des interactions d'échange ferromagnétiques.
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