Optoelektronischer Halbleiterchip

摘要

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst und eine laterale Haupterstreckungsrichtung aufweist, angegeben, wobei die Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat (4) angeordnet ist, das eine Seitenfläche (17) aufweist, die Seitenfläche einen bezüglich der Haupterstreckungsrichtung angeschrägten Seitenflächenbereich (18) und/oder eine Ausnehmung (21) aufweist und der Halbleiterchip eine strahlungsdurchlässige und elektrisch leitfähige Kontaktschicht (5) aufweist.