| 发明名称 | 铌粉、铌造粒物、铌烧结体和电容器及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供高效率地制造能提供每单位质量的电容大、漏电流小、而且偏差少的电容器的、电容器用铌粉、铌合金粉、氢化铌粉或氢化铌合金粉的方法，还提供使用了该铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉的烧结体和使用该烧结体的电容器的制造方法。根据本发明，通过在分散介质存在下、使用密度为2～3.6g/cm<SUP>3</SUP>、断裂韧性值为1.5MPa·m<SUP>1/2</SUP>以上的珠，例如氮化硅或含氮化硅的化合物的介质对氢化铌或氢化铌合金进行粉碎，可以高效率地制得高电容的铌粉。 | ||
| 申请公布号 | CN101035641A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200580034208.4 | 申请日期 | 2005.10.05 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 网田仁;大森和弘 |
| 分类号 | B22F9/04(2006.01);H01G9/052(2006.01);B22F1/00(2006.01) | 主分类号 | B22F9/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 1.一种电容器用铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉的制造方法，包括在分散介质存在下，作为粉碎辅助材料使用密度为2～3.6g/cm3、断裂韧性值为1.5MPa·m1/2以上的材料，对氢化铌或氢化铌合金进行粉碎的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||